Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
Mã sản phẩm
IXTH1N200P3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247 (IXTH)
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
2000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
23.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
646pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25200 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTH1N200P3
IXTH1N200P3 Linh kiện điện tử
IXTH1N200P3 Việc bán hàng
IXTH1N200P3 Nhà cung cấp
IXTH1N200P3 Nhà phân phối
IXTH1N200P3 Bảng dữ liệu
IXTH1N200P3 Ảnh
IXTH1N200P3 Giá
IXTH1N200P3 Lời đề nghị
IXTH1N200P3 Giá thấp nhất
IXTH1N200P3 Tìm kiếm
IXTH1N200P3 Thu mua
IXTH1N200P3 Chip