Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTH3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
Mã sản phẩm
IXTH3N120
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247 (IXTH)
Tản điện (Tối đa)
200W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
39nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28586 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTH3N120
IXTH3N120 Linh kiện điện tử
IXTH3N120 Việc bán hàng
IXTH3N120 Nhà cung cấp
IXTH3N120 Nhà phân phối
IXTH3N120 Bảng dữ liệu
IXTH3N120 Ảnh
IXTH3N120 Giá
IXTH3N120 Lời đề nghị
IXTH3N120 Giá thấp nhất
IXTH3N120 Tìm kiếm
IXTH3N120 Thu mua
IXTH3N120 Chip