Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTQ200N06P

IXTQ200N06P

MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
Mã sản phẩm
IXTQ200N06P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHT™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-3P-3, SC-65-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-3P
Tản điện (Tối đa)
714W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5 mOhm @ 400A, 15V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
200nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43749 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTQ200N06P
IXTQ200N06P Linh kiện điện tử
IXTQ200N06P Việc bán hàng
IXTQ200N06P Nhà cung cấp
IXTQ200N06P Nhà phân phối
IXTQ200N06P Bảng dữ liệu
IXTQ200N06P Ảnh
IXTQ200N06P Giá
IXTQ200N06P Lời đề nghị
IXTQ200N06P Giá thấp nhất
IXTQ200N06P Tìm kiếm
IXTQ200N06P Thu mua
IXTQ200N06P Chip