Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTU1R4N60P

IXTU1R4N60P

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Mã sản phẩm
IXTU1R4N60P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHV™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-251
Tản điện (Tối đa)
50W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
5.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53792 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTU1R4N60P
IXTU1R4N60P Linh kiện điện tử
IXTU1R4N60P Việc bán hàng
IXTU1R4N60P Nhà cung cấp
IXTU1R4N60P Nhà phân phối
IXTU1R4N60P Bảng dữ liệu
IXTU1R4N60P Ảnh
IXTU1R4N60P Giá
IXTU1R4N60P Lời đề nghị
IXTU1R4N60P Giá thấp nhất
IXTU1R4N60P Tìm kiếm
IXTU1R4N60P Thu mua
IXTU1R4N60P Chip