Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFH12N50F

IXFH12N50F

MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Mã sản phẩm
IXFH12N50F
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerRF™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247 (IXFH)
Tản điện (Tối đa)
180W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
400 mOhm @ 6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
54nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 18562 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFH12N50F
IXFH12N50F Linh kiện điện tử
IXFH12N50F Việc bán hàng
IXFH12N50F Nhà cung cấp
IXFH12N50F Nhà phân phối
IXFH12N50F Bảng dữ liệu
IXFH12N50F Ảnh
IXFH12N50F Giá
IXFH12N50F Lời đề nghị
IXFH12N50F Giá thấp nhất
IXFH12N50F Tìm kiếm
IXFH12N50F Thu mua
IXFH12N50F Chip