Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFH6N100F
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Mã sản phẩm
IXFH6N100F
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerRF™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247 (IXFH)
Tản điện (Tối đa)
180W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
54nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46119 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFH6N100F
IXFH6N100F Linh kiện điện tử
IXFH6N100F Việc bán hàng
IXFH6N100F Nhà cung cấp
IXFH6N100F Nhà phân phối
IXFH6N100F Bảng dữ liệu
IXFH6N100F Ảnh
IXFH6N100F Giá
IXFH6N100F Lời đề nghị
IXFH6N100F Giá thấp nhất
IXFH6N100F Tìm kiếm
IXFH6N100F Thu mua
IXFH6N100F Chip