Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT6N100F
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Mã sản phẩm
IXFT6N100F
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerRF™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268 (IXFT)
Tản điện (Tối đa)
180W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
54nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9420 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFT6N100F
IXFT6N100F Linh kiện điện tử
IXFT6N100F Việc bán hàng
IXFT6N100F Nhà cung cấp
IXFT6N100F Nhà phân phối
IXFT6N100F Bảng dữ liệu
IXFT6N100F Ảnh
IXFT6N100F Giá
IXFT6N100F Lời đề nghị
IXFT6N100F Giá thấp nhất
IXFT6N100F Tìm kiếm
IXFT6N100F Thu mua
IXFT6N100F Chip