LTE-R38386A-ZF-U
EMITTER IR 850NM 1A SMD
Mã sản phẩm
LTE-R38386A-ZF-U
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
3-SMD, No Lead
Kiểu
Infrared (IR)
Định hướng
Top View
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Typ)
1.8V
Hiện tại - Chuyển tiếp DC (Nếu) (Tối đa)
1A
Bước sóng
850nm
Cường độ bức xạ (Ie) Min @ If
150mW/sr @ 1A
Góc nhìn
150°
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 30510 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của LTE-R38386A-ZF-U
LTE-R38386A-ZF-U Linh kiện điện tử
LTE-R38386A-ZF-U Việc bán hàng
LTE-R38386A-ZF-U Nhà cung cấp
LTE-R38386A-ZF-U Nhà phân phối
LTE-R38386A-ZF-U Bảng dữ liệu
LTE-R38386A-ZF-U Ảnh
LTE-R38386A-ZF-U Giá
LTE-R38386A-ZF-U Lời đề nghị
LTE-R38386A-ZF-U Giá thấp nhất
LTE-R38386A-ZF-U Tìm kiếm
LTE-R38386A-ZF-U Thu mua
LTE-R38386A-ZF-U Chip