Mua Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G IGBT 1200V 69A 417W TO247

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APT25GP120BDQ1G

IGBT 1200V 69A 417W TO247

Mã sản phẩm

APT25GP120BDQ1G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

POWER MOS 7®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Standard

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-247-3

Sức mạnh tối đa

417W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-247 [B]

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

69A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1200V

Loại IGBT

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Hiện tại - Collector Pulsed (Icm)

90A

Chuyển đổi năng lượng

500µJ (on), 440µJ (off)

Phụ trách cổng

110nC

Td (bật/tắt) @ 25°C

12ns/70ns

Điều kiện kiểm tra

600V, 25A, 5 Ohm, 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 45063 PCS

Thông tin liên lạc