Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
APT31M100B2
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Mã sản phẩm
APT31M100B2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
POWER MOS 8™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3 Variant
Gói thiết bị của nhà cung cấp
T-MAX™ [B2]
Tản điện (Tối đa)
1040W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
380 mOhm @ 16A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 2.5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
260nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
8500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5854 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của APT31M100B2
APT31M100B2 Linh kiện điện tử
APT31M100B2 Việc bán hàng
APT31M100B2 Nhà cung cấp
APT31M100B2 Nhà phân phối
APT31M100B2 Bảng dữ liệu
APT31M100B2 Ảnh
APT31M100B2 Giá
APT31M100B2 Lời đề nghị
APT31M100B2 Giá thấp nhất
APT31M100B2 Tìm kiếm
APT31M100B2 Thu mua
APT31M100B2 Chip