Mua Microsemi Corporation APT33GF120B2RDQ2G IGBT 1200V 64A 357W TMAX

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APT33GF120B2RDQ2G

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

Mã sản phẩm

APT33GF120B2RDQ2G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Standard

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-247-3 Variant

Sức mạnh tối đa

357W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

64A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1200V

Loại IGBT

NPT

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

Hiện tại - Collector Pulsed (Icm)

75A

Chuyển đổi năng lượng

1.315µJ (on), 1.515µJ (off)

Phụ trách cổng

170nC

Td (bật/tắt) @ 25°C

14ns/185ns

Điều kiện kiểm tra

800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 12436 PCS

Thông tin liên lạc