Mua Microsemi Corporation APT50GP60B2DQ2G IGBT 600V 150A 625W TMAX

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APT50GP60B2DQ2G

IGBT 600V 150A 625W TMAX

Mã sản phẩm

APT50GP60B2DQ2G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

POWER MOS 7®

Trạng thái một phần

Not For New Designs

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Standard

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-247-3 Variant

Sức mạnh tối đa

625W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

150A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

600V

Loại IGBT

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Hiện tại - Collector Pulsed (Icm)

190A

Chuyển đổi năng lượng

465µJ (on), 635µJ (off)

Phụ trách cổng

165nC

Td (bật/tắt) @ 25°C

19ns/85ns

Điều kiện kiểm tra

400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 52266 PCS

Thông tin liên lạc