Mua Microsemi Corporation APT50GR120JD30 IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APT50GR120JD30

IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Mã sản phẩm

APT50GR120JD30

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SOT-227-4

Sức mạnh tối đa

417W

Cấu hình

Single

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-227

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

84A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1200V

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

1.1mA

Loại IGBT

NPT

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce

5.55nF @ 25V

Đầu vào

Standard

Điện trở nhiệt NTC

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15478 PCS

Thông tin liên lạc