Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
APT9M100B
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Mã sản phẩm
APT9M100B
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
POWER MOS 8™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247 [B]
Tản điện (Tối đa)
335W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.4 Ohm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
80nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35755 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của APT9M100B
APT9M100B Linh kiện điện tử
APT9M100B Việc bán hàng
APT9M100B Nhà cung cấp
APT9M100B Nhà phân phối
APT9M100B Bảng dữ liệu
APT9M100B Ảnh
APT9M100B Giá
APT9M100B Lời đề nghị
APT9M100B Giá thấp nhất
APT9M100B Tìm kiếm
APT9M100B Thu mua
APT9M100B Chip