Mua Microsemi Corporation APTC90H12T1G MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APTC90H12T1G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Mã sản phẩm

APTC90H12T1G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

CoolMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tray

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SP1

Sức mạnh tối đa

250W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SP1

Loại FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Tính năng FET

Super Junction

Xả điện áp nguồn (Vdss)

900V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

30A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

120 mOhm @ 26A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 3mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

270nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 27423 PCS

Thông tin liên lạc