Mua Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G IGBT 1200V 40A 227W MODULE

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APTGFQ25H120T2G

IGBT 1200V 40A 227W MODULE

Mã sản phẩm

APTGFQ25H120T2G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Not For New Designs

Nhiệt độ hoạt động

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

SP2

Sức mạnh tối đa

227W

Cấu hình

Full Bridge

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SP2

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

40A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1200V

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

250µA

Loại IGBT

NPT and Fieldstop

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce

2.02nF @ 25V

Đầu vào

Standard

Điện trở nhiệt NTC

Yes

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24425 PCS

Thông tin liên lạc