Mua Microsemi Corporation APTGT200DH60G IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APTGT200DH60G

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Mã sản phẩm

APTGT200DH60G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SP6

Sức mạnh tối đa

625W

Cấu hình

Asymmetrical Bridge

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SP6

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

290A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

600V

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

250µA

Loại IGBT

Trench Field Stop

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Đầu vào

Standard

Điện trở nhiệt NTC

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 43885 PCS

Thông tin liên lạc