Mua Microsemi Corporation APTGT50SK170T1G IGBT 1700V 75A 312W SP1

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APTGT50SK170T1G

IGBT 1700V 75A 312W SP1

Mã sản phẩm

APTGT50SK170T1G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SP1

Sức mạnh tối đa

312W

Cấu hình

Single

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SP1

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

75A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1700V

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

250µA

Loại IGBT

Trench Field Stop

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Đầu vào

Standard

Điện trở nhiệt NTC

Yes

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 6064 PCS

Thông tin liên lạc