Mua Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135 MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Mã sản phẩm

PHT6NQ10T,135

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Nexperia USA Inc.

Loạt

TrenchMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-65°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-261-4, TO-261AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-223

Tản điện (Tối đa)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

90 mOhm @ 3A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

21nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 33367 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PHT6N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223