PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Mã sản phẩm
PMDXB600UNEZ
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-XFDFN Exposed Pad
Sức mạnh tối đa
265mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-DFN (1.1x1)
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
600mA
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
950mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
0.7nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 21780 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của PMDXB600UNEZ
PMDXB600UNEZ Linh kiện điện tử
PMDXB600UNEZ Việc bán hàng
PMDXB600UNEZ Nhà cung cấp
PMDXB600UNEZ Nhà phân phối
PMDXB600UNEZ Bảng dữ liệu
PMDXB600UNEZ Ảnh
PMDXB600UNEZ Giá
PMDXB600UNEZ Lời đề nghị
PMDXB600UNEZ Giá thấp nhất
PMDXB600UNEZ Tìm kiếm
PMDXB600UNEZ Thu mua
PMDXB600UNEZ Chip