Mua Nexperia USA Inc. PSMN6R3-120ESQ MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

PSMN6R3-120ESQ

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Mã sản phẩm

PSMN6R3-120ESQ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Nexperia USA Inc.

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

I2PAK

Tản điện (Tối đa)

405W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

120V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

70A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

6.7 mOhm @ 25A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

207.1nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

11384pF @ 60V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24655 PCS

Thông tin liên lạc