Mua NXP USA Inc. PMGD400UN,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PMGD400UN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

Mã sản phẩm

PMGD400UN,115

Nhà sản xuất/Thương hiệu

NXP USA Inc.

Loạt

TrenchMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Sức mạnh tối đa

410mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-TSSOP

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

710mA

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

480 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

0.89nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 35134 PCS

Thông tin liên lạc