Mua NXP USA Inc. PMGD8000LN,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

PMGD8000LN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Mã sản phẩm

PMGD8000LN,115

Nhà sản xuất/Thương hiệu

NXP USA Inc.

Loạt

TrenchMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Sức mạnh tối đa

200mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-TSSOP

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

125mA

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

8 Ohm @ 10mA, 4V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.5V @ 100µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

0.35nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 5V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 21724 PCS

Thông tin liên lạc