Mua NXP USA Inc. PMWD26UN,518 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PMWD26UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

Mã sản phẩm

PMWD26UN,518

Nhà sản xuất/Thương hiệu

NXP USA Inc.

Loạt

TrenchMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Sức mạnh tối đa

3.1W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-TSSOP

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

7.8A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

30 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

700mV @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

23.6nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1366pF @ 16V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 34265 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP