Mua NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

PSMN8R5-108ESQ

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Mã sản phẩm

PSMN8R5-108ESQ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

NXP USA Inc.

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

I2PAK

Tản điện (Tối đa)

263W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

108V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

100A (Tj)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

111nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

5512pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 48379 PCS

Thông tin liên lạc