Mua ON Semiconductor EGP10J DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

EGP10J

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Mã sản phẩm

EGP10J

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

DO-204AL, DO-41, Axial

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DO-41

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.7V @ 1A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

5µA @ 600V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

600V

Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

75ns

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-65°C ~ 150°C

Điện dung @ Vr, F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 32149 PCS

Thông tin liên lạc