Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQB2N80TM

FQB2N80TM

MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
Mã sản phẩm
FQB2N80TM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54871 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FQB2N80TM
FQB2N80TM Linh kiện điện tử
FQB2N80TM Việc bán hàng
FQB2N80TM Nhà cung cấp
FQB2N80TM Nhà phân phối
FQB2N80TM Bảng dữ liệu
FQB2N80TM Ảnh
FQB2N80TM Giá
FQB2N80TM Lời đề nghị
FQB2N80TM Giá thấp nhất
FQB2N80TM Tìm kiếm
FQB2N80TM Thu mua
FQB2N80TM Chip