Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQB55N10TM
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Mã sản phẩm
FQB55N10TM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
26 mOhm @ 27.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
98nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2730pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 37818 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQB55N10TM
FQB55N10TM Linh kiện điện tử
FQB55N10TM Việc bán hàng
FQB55N10TM Nhà cung cấp
FQB55N10TM Nhà phân phối
FQB55N10TM Bảng dữ liệu
FQB55N10TM Ảnh
FQB55N10TM Giá
FQB55N10TM Lời đề nghị
FQB55N10TM Giá thấp nhất
FQB55N10TM Tìm kiếm
FQB55N10TM Thu mua
FQB55N10TM Chip