Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQD2N100TF
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Mã sản phẩm
FQD2N100TF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9 Ohm @ 800mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 7757 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD2N100TF
FQD2N100TF Linh kiện điện tử
FQD2N100TF Việc bán hàng
FQD2N100TF Nhà cung cấp
FQD2N100TF Nhà phân phối
FQD2N100TF Bảng dữ liệu
FQD2N100TF Ảnh
FQD2N100TF Giá
FQD2N100TF Lời đề nghị
FQD2N100TF Giá thấp nhất
FQD2N100TF Tìm kiếm
FQD2N100TF Thu mua
FQD2N100TF Chip