Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQD2N80TF
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Mã sản phẩm
FQD2N80TF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9458 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD2N80TF
FQD2N80TF Linh kiện điện tử
FQD2N80TF Việc bán hàng
FQD2N80TF Nhà cung cấp
FQD2N80TF Nhà phân phối
FQD2N80TF Bảng dữ liệu
FQD2N80TF Ảnh
FQD2N80TF Giá
FQD2N80TF Lời đề nghị
FQD2N80TF Giá thấp nhất
FQD2N80TF Tìm kiếm
FQD2N80TF Thu mua
FQD2N80TF Chip