Mua ON Semiconductor H11G2TVM OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

H11G2TVM

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Mã sản phẩm

H11G2TVM

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 100°C

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Loại đầu ra

Darlington with Base

số kênh

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-DIP

Hiện tại - Đầu ra / Kênh

Điện áp - Cách ly

4170Vrms

Thời gian tăng/giảm (loại)

Điện áp - Đầu ra (Tối đa)

80V

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Typ)

1.3V

Hiện tại - Chuyển tiếp DC (Nếu) (Tối đa)

60mA

Tỷ lệ chuyển hiện tại (Tối thiểu)

1000% @ 10mA

Tỷ lệ chuyển hiện tại (Tối đa)

Thời gian bật/tắt (typ)

5µs, 100µs

Độ bão hòa Vce (Tối đa)

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 18423 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

H11G1

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP