HUF76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Mã sản phẩm
HUF76609D3ST
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
UltraFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252AA
Tản điện (Tối đa)
49W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
160 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
16nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13357 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của HUF76609D3ST
HUF76609D3ST Linh kiện điện tử
HUF76609D3ST Việc bán hàng
HUF76609D3ST Nhà cung cấp
HUF76609D3ST Nhà phân phối
HUF76609D3ST Bảng dữ liệu
HUF76609D3ST Ảnh
HUF76609D3ST Giá
HUF76609D3ST Lời đề nghị
HUF76609D3ST Giá thấp nhất
HUF76609D3ST Tìm kiếm
HUF76609D3ST Thu mua
HUF76609D3ST Chip