Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Mã sản phẩm
NDS8852H
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.8V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13338 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NDS8852H
NDS8852H Linh kiện điện tử
NDS8852H Việc bán hàng
NDS8852H Nhà cung cấp
NDS8852H Nhà phân phối
NDS8852H Bảng dữ liệu
NDS8852H Ảnh
NDS8852H Giá
NDS8852H Lời đề nghị
NDS8852H Giá thấp nhất
NDS8852H Tìm kiếm
NDS8852H Thu mua
NDS8852H Chip