NTD12N10T4G
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Mã sản phẩm
NTD12N10T4G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DPAK
Tản điện (Tối đa)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
165 mOhm @ 6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48267 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTD12N10T4G
NTD12N10T4G Linh kiện điện tử
NTD12N10T4G Việc bán hàng
NTD12N10T4G Nhà cung cấp
NTD12N10T4G Nhà phân phối
NTD12N10T4G Bảng dữ liệu
NTD12N10T4G Ảnh
NTD12N10T4G Giá
NTD12N10T4G Lời đề nghị
NTD12N10T4G Giá thấp nhất
NTD12N10T4G Tìm kiếm
NTD12N10T4G Thu mua
NTD12N10T4G Chip