Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTD3055L170T4G
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Mã sản phẩm
NTD3055L170T4G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DPAK
Tản điện (Tối đa)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
170 mOhm @ 4.5A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V
VSS (Tối đa)
±15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24834 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTD3055L170T4G
NTD3055L170T4G Linh kiện điện tử
NTD3055L170T4G Việc bán hàng
NTD3055L170T4G Nhà cung cấp
NTD3055L170T4G Nhà phân phối
NTD3055L170T4G Bảng dữ liệu
NTD3055L170T4G Ảnh
NTD3055L170T4G Giá
NTD3055L170T4G Lời đề nghị
NTD3055L170T4G Giá thấp nhất
NTD3055L170T4G Tìm kiếm
NTD3055L170T4G Thu mua
NTD3055L170T4G Chip