Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTD3817N-1G
MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
Mã sản phẩm
NTD3817N-1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I-PAK
Tản điện (Tối đa)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
16V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
13.9 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10.5nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
702pF @ 12V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 30876 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTD3817N-1G
NTD3817N-1G Linh kiện điện tử
NTD3817N-1G Việc bán hàng
NTD3817N-1G Nhà cung cấp
NTD3817N-1G Nhà phân phối
NTD3817N-1G Bảng dữ liệu
NTD3817N-1G Ảnh
NTD3817N-1G Giá
NTD3817N-1G Lời đề nghị
NTD3817N-1G Giá thấp nhất
NTD3817N-1G Tìm kiếm
NTD3817N-1G Thu mua
NTD3817N-1G Chip