Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTD4865N-1G

NTD4865N-1G

MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Mã sản phẩm
NTD4865N-1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I-PAK
Tản điện (Tối đa)
1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 44A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10.9 mOhm @ 30A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10.8nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
827pF @ 12V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23854 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NTD4865N-1G
NTD4865N-1G Linh kiện điện tử
NTD4865N-1G Việc bán hàng
NTD4865N-1G Nhà cung cấp
NTD4865N-1G Nhà phân phối
NTD4865N-1G Bảng dữ liệu
NTD4865N-1G Ảnh
NTD4865N-1G Giá
NTD4865N-1G Lời đề nghị
NTD4865N-1G Giá thấp nhất
NTD4865N-1G Tìm kiếm
NTD4865N-1G Thu mua
NTD4865N-1G Chip