Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTD5862N-1G
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Mã sản phẩm
NTD5862N-1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DPAK
Tản điện (Tối đa)
115W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5.7 mOhm @ 45A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
82nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28863 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTD5862N-1G
NTD5862N-1G Linh kiện điện tử
NTD5862N-1G Việc bán hàng
NTD5862N-1G Nhà cung cấp
NTD5862N-1G Nhà phân phối
NTD5862N-1G Bảng dữ liệu
NTD5862N-1G Ảnh
NTD5862N-1G Giá
NTD5862N-1G Lời đề nghị
NTD5862N-1G Giá thấp nhất
NTD5862N-1G Tìm kiếm
NTD5862N-1G Thu mua
NTD5862N-1G Chip