NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Mã sản phẩm
NTGD4167CT1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Sức mạnh tối đa
900mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
5.5nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25505 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G Linh kiện điện tử
NTGD4167CT1G Việc bán hàng
NTGD4167CT1G Nhà cung cấp
NTGD4167CT1G Nhà phân phối
NTGD4167CT1G Bảng dữ liệu
NTGD4167CT1G Ảnh
NTGD4167CT1G Giá
NTGD4167CT1G Lời đề nghị
NTGD4167CT1G Giá thấp nhất
NTGD4167CT1G Tìm kiếm
NTGD4167CT1G Thu mua
NTGD4167CT1G Chip