Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NVD5806NT4G
MOSFET N-CH 40V DPAK
Mã sản phẩm
NVD5806NT4G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DPAK
Tản điện (Tối đa)
40W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
19 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
38nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
VSS (Tối đa)
±20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12569 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NVD5806NT4G
NVD5806NT4G Linh kiện điện tử
NVD5806NT4G Việc bán hàng
NVD5806NT4G Nhà cung cấp
NVD5806NT4G Nhà phân phối
NVD5806NT4G Bảng dữ liệu
NVD5806NT4G Ảnh
NVD5806NT4G Giá
NVD5806NT4G Lời đề nghị
NVD5806NT4G Giá thấp nhất
NVD5806NT4G Tìm kiếm
NVD5806NT4G Thu mua
NVD5806NT4G Chip