Mua Renesas Electronics America RJK0332DPB-01#J0 MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

RJK0332DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Mã sản phẩm

RJK0332DPB-01#J0

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Renesas Electronics America

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SC-100, SOT-669

Gói thiết bị của nhà cung cấp

LFPAK

Tản điện (Tối đa)

45W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

35A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

4.7 mOhm @ 17.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.5V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

14nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 26436 PCS

Thông tin liên lạc