R6002END3TL1
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Mã sản phẩm
R6002END3TL1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252
Tản điện (Tối đa)
26W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
65pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22310 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của R6002END3TL1
R6002END3TL1 Linh kiện điện tử
R6002END3TL1 Việc bán hàng
R6002END3TL1 Nhà cung cấp
R6002END3TL1 Nhà phân phối
R6002END3TL1 Bảng dữ liệu
R6002END3TL1 Ảnh
R6002END3TL1 Giá
R6002END3TL1 Lời đề nghị
R6002END3TL1 Giá thấp nhất
R6002END3TL1 Tìm kiếm
R6002END3TL1 Thu mua
R6002END3TL1 Chip