Mua Rohm Semiconductor RQ3E160ADTB MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

RQ3E160ADTB

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Mã sản phẩm

RQ3E160ADTB

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Rohm Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-HSMT (3.2x3)

Tản điện (Tối đa)

2W (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

16A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

4.5 mOhm @ 16A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.5V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

51nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 47893 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8