Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
1N5807US
DIODE GEN PURP 50V 6A
Mã sản phẩm
1N5807US
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Bulk
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SQ-MELF
Gói thiết bị của nhà cung cấp
-
Loại điốt
Standard
Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)
6A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If
875mV @ 4A
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr
5µA @ 50V
Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)
50V
Tốc độ
Fast Recovery = 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr)
30ns
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba
-
Điện dung @ Vr, F
60pF @ 5V, 1MHz
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5317 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của 1N5807US
1N5807US Linh kiện điện tử
1N5807US Việc bán hàng
1N5807US Nhà cung cấp
1N5807US Nhà phân phối
1N5807US Bảng dữ liệu
1N5807US Ảnh
1N5807US Giá
1N5807US Lời đề nghị
1N5807US Giá thấp nhất
1N5807US Tìm kiếm
1N5807US Thu mua
1N5807US Chip