Mua STMicroelectronics VNS1NV04DP-E MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

VNS1NV04DP-E

MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC

Mã sản phẩm

VNS1NV04DP-E

Nhà sản xuất/Thương hiệu

STMicroelectronics

Loạt

OMNIFET II™, VIPower™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Non-Inverting

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Đặc trưng

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Loại đầu ra

N-Channel

Giao diện

On/Off

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Điện áp - Nguồn (Vcc/Vdd)

Not Required

Bảo vệ lỗi

Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage

Cấu hình đầu ra

Low Side

Rds Bật (Loại)

250 mOhm (Max)

Điện áp - Tải

36V (Max)

Hiện tại - Đầu ra (Tối đa)

1.7A

Số lượng đầu ra

Loại chuyển đổi

General Purpose

Tỷ lệ - Đầu vào:Đầu ra

1:1

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 36394 PCS

Thông tin liên lạc