Mua Taiwan Semiconductor Corporation ES2DAHR3G DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

ES2DAHR3G

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Mã sản phẩm

ES2DAHR3G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

DO-214AC, SMA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DO-214AC (SMA)

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

950mV @ 2A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

10µA @ 200V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

200V

Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

35ns

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 150°C

Điện dung @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 10710 PCS

Thông tin liên lạc