Mua Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLS RVG DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

RS1JLS RVG

DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Mã sản phẩm

RS1JLS RVG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOD-123H

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOD-123HE

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

1.2A

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.3V @ 1.2A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

5µA @ 600V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

600V

Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

300ns

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 150°C

Điện dung @ Vr, F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 21214 PCS

Thông tin liên lạc