Mua Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TSM061NA03CV RGG

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Mã sản phẩm

TSM061NA03CV RGG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerWDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PDFN (3x3)

Tản điện (Tối đa)

44.6W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

19.3nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1136pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 26796 PCS

Thông tin liên lạc