Mua Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Mã sản phẩm

TSM120N10PQ56 RLG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerTDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PDFN (5x6)

Tản điện (Tối đa)

36W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

12 mOhm @ 30A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

145nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3902pF @ 30V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 41530 PCS

Thông tin liên lạc