Mua Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06CR 60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TSM130NB06CR

60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS

Mã sản phẩm

TSM130NB06CR

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Trạng thái một phần

Active

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerTDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PDFN (5x6)

Tản điện (Tối đa)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10A (Ta), 51A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

13 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

36nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2380pF @ 30V

VSS (Tối đa)

±20V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 14822 PCS

Thông tin liên lạc